Altermagnet CrSb 表面的 Josephson 二极管效应与自旋阱效应

我们实验性地研究了 In-CrSb 和 In-CrSb-In 近似器件中的电荷传输，这些器件由与厚单晶 CrSb 阿尔替曼磁体接触的超导�锌 leads 构成。对于双 In-CrSb-In 接触器件，dV/dI(B) 曲线在两个磁场扫描方向下关于零场对称，这是 Josephson 自旋阱的典型行为。我们还通过直接测量外部磁场下两种相反方向的临界电流，展示了 Josephson 二极管效应。我们将这些观察解释为由自旋极化的拓扑表面态和 CrSb bulk 能带的阿尔替曼自旋分裂共同作用的结果。对于单个 In-CrSb 界面，超导带隙在磁场下的 both field orientations 下振荡，这强烈类似于 Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov (FFLO) 行为。FFLO 基于有限动量库仑配对，因此完全符合 Josephson 二极管效应的要求。