原子总电子结合能的同位素位移

我们使用包含Breit相互作用的相对论Hartree-Fock方法，计算了中性原子和单电荷离子（直至元素$Z=120$）的总电子结合能的同位素位移。通过改变核电荷半径提取场位移系数；保留一个小二次项以覆盖与超重核相关的大半径变化。我们列出了从Ne到Og的闭壳层系统的同位素位移系数，并对选定的开壳层案例进行了基准测试，用于测试插值公式。一个简单的幂律插值$bZ^k$在整个元素周期表中以约1%的精度再现了计算出的场位移，有效指数$k$从$Z \sim 50$附近的约5增长到$Z \sim 118$时的约12。由于内壳层的主导地位，中性原子和单电荷离子之间的差异不超过百分之几，主要在外层$s$电子被移除时才变得明显。因此，这些结果也可用于更高电荷态离子。