中子β衰变中的同位旋破缺和半轻子超子衰变中的SU(3)破缺

目前对中子寿命的精确测量导致CKM矩阵元$|V_{ud}|$与从重夸克衰变等推断的值存在三个标准偏差。我们研究了中子到质子矢量流跃迁矩阵元$< p|V^+_0|n >=1+\delta g_V$中的同位旋破缺效应是否可能最终弥合这一差距。为此，我们在手征微扰论中计算了π和Kaon圈对矩阵元$< p|V^+_0|n >$的贡献，同时考虑了带电和中性介子的质量差异。我们发现同位旋破缺效应非常小，$\delta g_V \simeq -4 \cdot 10^{-5}$。因此，中子β衰变精确测量分析中的关键量是辐射修正项$\Delta_R$。此外，我们在重子手征微扰论中计算了弱半轻子超子衰变矢量跃迁电荷的SU(3)破缺效应。我们发现对于这些量，与SU(3)极限的相对偏差依赖于通道，范围从-10%到+1%。