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氧化锌中单个施主杂质的隔离

介观与纳米尺度物理 2024-01-19 v3 量子物理

摘要

氧化锌(ZnO)中的浅施主是一种具有光学可及性的有前景的半导体自旋量子比特。利用等离子聚焦离子束(PFIB)铣削,在商用ZnO衬底中隔离出单个铟施主。通过空间和频率滤波在光学上识别量子发射体。铟施主的归属基于光学束缚激子跃迁能量和磁依赖性。单个施主发射在强度和频率上稳定,其跃迁线宽小于寿命极限的两倍。PFIB制备后光学稳定单个施主的隔离,对于基于直接带隙半导体中单个施主的可扩展量子技术所需的光学器件集成具有前景。

关键词

引用

@article{arxiv.2310.05806,
  title  = {Isolation of Single Donors in ZnO},
  author = {Ethan R. Hansen and Vasileios Niaouris and Bethany E. Matthews and Christian Zimmermann and Xingyi Wang and Roman Kolodka and Lasse Vines and Steven R. Spurgeon and Kai-Mei C. Fu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2310.05806},
  year   = {2024}
}

备注

E. R. Hansen and V. Niaouris contributed equally to this work. 15 pages, 13 figures