SeO2 的 p 型掺杂可行性如何？

p 型透明氧化物半导体（TOS）的重要性至关关键，推动了光电子技术在具有独特性质的透明电子器件方面的发展。SeO2 最近被发现表现出 p 型行为，引发了科学界的广泛关注和困惑。本文利用密度泛函理论计算揭示了 SeO2 的本征绝缘特性，突出了载流子掺杂面临的重大挑战。我们的电子结构分析表明，Se 5s2 态能量位置过低，难以与 O 2p 轨道发生有效相互作用，导致价带上限（VBM）主要由 O 2p 轨道主导。SeO2 价带上限的浅且局域化的特性限制了其作为高迁移率 p 型 TOS 的潜力。缺陷计算显示，SeO2 中所有本征缺陷在带隙内都具有深电子态。 regardless of synthesis conditions，费米能级始终位于带隙中部。进一步地，深本征接受器和供体在 n 型和 p 型区域分别表现出负形成能，从而促进其自发形成，阻碍外部掺杂 efforts。因此，所报告的 SeO2 样品的 p 型导电性很可能并非本征性的，而更可能归因于减少的 elemental Se，这是一种众所周知的 p 型半导体。