拟议的FNAL 750 keV注入器升级的离子源开发
加速器物理
2012-07-31 v1
摘要
目前有一个拟议的FNAL 750 keV注入器升级，用于替换已有40年历史的费米国家实验室（FNAL）Cockcroft-Walton加速器，采用新的离子源和200 MHz射频四极场（RFQ）。现在使用的狭缝型磁控管将被替换为类似于布鲁克海文国家实验室（BNL）使用的圆孔磁控管。BNL的运行经验表明，这种类型的源更可靠，寿命更长，因为功率效率更高。当前的源开发工作是生产一个可靠的源，具有>60 mA的H-束流、15 Hz重复率、100 μs脉冲宽度和0.15%的占空比。该源将基于BNL的设计以及FNAL为高强度中微子源（HINS）所做的开发。
引用
@article{arxiv.1207.7049,
title = {Ion source development for the proposed FNAL 750-keV injector upgrade},
author = {D. S. Bollinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.7049},
year = {2012}
}
备注
8 pp. 2nd International Symposium on Negative Ions, Beams and Sources: NIBS2010, 16-19 Nov 2010. Takayama, Japan