74As 衰变分支比对宿主材料依赖性的研究
核实验
2008-11-26 v1
摘要
测量了 74As 在 Ta、Al、Ge 和聚酯薄膜等不同宿主材料中的衰变与/电子俘获衰变之间的分支比。未观察到分支比对宿主材料有显著依赖。还在金属 Ta 和半导体 Ge 中测量了 74As 的半衰期，未发现差异，且结果与文献值一致。所得结果为 74As 衰变率可能存在的宿主材料依赖性提供了上限。
引用
@article{arxiv.0806.4443,
title = {Investigation of 74As decay branching ratio dependence on the host material},
author = {Gy Gyürky and J. Farkas and C. Yalcin and G. G. Kiss and Z. Elekes and Zs. Fülöp and E. Somorjai},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.4443},
year = {2008}
}
备注
Accepted for publication in Europhysics Letters