线性σ模型中的逆磁催化：超越平均场的方法

我们研究了在强磁场和有限温度影响下，与夸克耦合的线性σ模型中手征对称性的恢复，并通过环图引入屏蔽效应。此前使用树级热质量的研究在所有温度范围内均导致磁催化，与格点QCD结果相矛盾；我们通过在最弱朗道能级（LLL）近似下自洽地计算玻色子质量，超越了这一限制。自洽方法修正了有效势，使我们能够精确追踪序参量的热演化。我们的结果揭示了$T-|eB|$相图中临界端点（CEP）的出现，并显著表现出逆磁催化（IMC）行为：伪临界温度随磁场强度增大而降低。这与使用非自洽质量时所得到的磁催化行为形成对比。据我们所知，这是首次在该语境中实现自洽玻色子质量，为利用有效模型探索QCD相图提供了新框架。