铜氧化物超导体中声子诱导电荷序的内禀特征

欠掺杂高温铜氧化物超导体中的电荷密度波（CDW）调制仍是凝聚态物理中的一个核心谜题。然而，尽管在大量高 $T_{\mathrm{c}}$ 铜氧化物中已对该普遍存在的相进行了大量实验验证，对其仍缺乏完整的理论解释。在此，我们基于最近的提议展开：欠掺杂铜氧化物（Y 基和 Bi 基化合物）中的 CDW 源于 B$_{1g}$ 键弯曲声子与强电子关联的独特协作。我们假定一个具有 B$_{1g}$ 对称性的静态平均场晶格畸变，不论其起源如何，其公度波矢为 $\mathbf{q}^*=(2\pi/3,0)/(0,2\pi/3)$。我们表明，这样一种声子诱导的 CDW（单轴和双轴）重构了费米面，导致电子和空穴袋的形成，其相关量子振荡频率与实验高度一致。此外，我们提供了对铜氧平面上单胞内电荷调制对称性的系统分析。我们发现 CuO$_2$ 单胞上的原子电荷调制主要呈 $s$ 波特征——这支持了近期的实验观测。