将 750 GeV 双光子信号解释为技术π介子

我们探讨了最近 ATLAS 和 CMS 合作组观测到的在 $M_{\gamma \gamma}$ = 750 GeV 处双光子末态的增强是否可能是一个中性赝标量技术π介子 $\tilde{\pi}^0$。我们考虑了动力学电弱对称破缺的两种不同极小模型。此处我们仅专注于双味矢量型技术色模型，并假设双光子融合是主导产生机制。我们包含了 $2 \to 1$、$2 \to 2$ 和 $2 \to 3$ 部分子过程的贡献。所有机制对截面给出相似贡献。借助强 Yukawa (技术π介子-技术夸克) 耦合 $g_{TC} \simeq 20$，我们粗略得到了所测“信号”的截面。在此 $g_{TC}$ 值下，我们得到相对小的总衰变宽度 $\Gamma_{\rm tot}$。我们还讨论了在较低能量 (LHC、Tevatron) 处未观测到增强的 $\gamma \gamma$ 末态信号大小。我们预言了伴随一个或两个软喷注的中性技术π介子产生具有可测量的截面。将技术π介子信号与标准模型双光子背景贡献作了比较。我们观察到非弹性-非弹性 $\gamma \gamma$ 过程占主导。我们预言在 $\sqrt{s}$ = 13 TeV 下纯排他性 $p p \to p p \gamma \gamma$ 过程的信号截面约为 0.2 fb。然而，这样的截面难以用计划的积分亮度测量。我们得出结论：在所有考虑的情形中，信号低于背景和/或低于统计设定的阈值，尽管可见某些张力。