阻挫金属反铁磁体2H-AgNiO2中局域与巡游d电子的相互作用
强关联电子
2009-08-31 v1 材料科学
摘要
我们通过热力学和输运测量，报告了阻挫三角金属反铁磁体2H-AgNiO2在高磁场（54 T）下的电子和磁性行为。在此材料中，局域d电子排列在一个反铁磁三角晶格上，该晶格嵌套在一个具有巡游d电子的蜂窝晶格内部。当磁场沿易轴方向时，我们观察到一系列场致相变，这归因于易轴各向异性、几何阻挫以及局域与巡游系统耦合之间的竞争。量子振荡数据表明，费米面被磁有序重构，但在高场下可能出现磁击穿轨道。巡游电子对自旋涨落的散射极为敏感，并发现了显著的质量增强（约3倍）。
引用
@article{arxiv.0908.4169,
title = {Interplay between localized and itinerant d electrons in a frustrated metallic antiferromagnet, 2H-AgNiO2},
author = {A. I. Coldea and A. Carrington and R. Coldea and L. Malone and A. F. Bangura and M. D. Johannes and I. I. Mazin and E. A. Yelland and J. G. Analytis and J. A. A. J. Perenboom and C. Jaudet and D. Vignolles and T. Sorgel and M. Jansen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.4169},
year = {2009}
}
备注
4 pages