石墨烯中的层间激子超流性

我们讨论了在双层石墨烯中预测（但尚未观测到）的零场层间激子凝聚具备足够高的临界温度以允许被探测的条件。关键在于，由带电杂质和晶格结构波纹引起的无序——在所有实际样品中不可避免存在——通过诱导电荷不均匀性影响凝聚体的形成。在前一种情况下，我们使用数值 Thomas-Fermi-Dirac 理论来描述双层石墨烯器件中电子密度的局部涨落，并估计这些现实涨落对凝聚体形成的影响。为了进行此估计，我们在平均场 BCS 理论框架下，针对层间库仑相互作用屏蔽的乐观（无屏蔽）和保守（静态屏蔽）近似，计算了层间激子超流转变的临界温度。我们还估计了允许动态贡献参与层间屏蔽的影响。随后，我们对双层二次型双层石墨烯进行了类似计算，表明低能带的二次型性质产生的配对，其临界温度与双层单层石墨烯的线性带处于同一数量级。