异层结构中 Kondo 效应与短程磁关联的界面近距离作用与相互作用

本文研究了层间距离对同时包含 Kondo 效应和短程磁关联的异层结构影响。我们提出的异层结构由三个相互耦合的方格子层组成。第一层由 Kondo-海森堡晶格模型描述，涉及 $f$ 与 $d$ 电子，通过 Kondo 耦合和海森堡耦合 $J_{K}$ 和 $J_{H}$ 进行相互作用。另外两个层由非相互作用的可移动电子组成，其与第一层的耦合由两个垂直隧穿参数决定。我们发现，改变层间耦合可在界面诱导电子动力学，从而改变描述 Kondo 效应和短程磁关联的均值参数的行为。该系统的温度-层间隧穿参数相图显示出一系列连续和离散相变。在 $|J_{K}|<|J_{H}|$ 和 $|J_{K}|>|J_{H}|$ 的情况下，分别找到富含 Kondo、铁磁和反铁磁关联的丰富相图。我们的工作为在异层结构中实现 Kondo 关联提供了洞见。