van der Waals Fe3GeTe2/MoTe2异构结构界面磁自旋格林效应
介观与纳米尺度物理
2024-03-28 v1
摘要
自旋格林效应（SHE）通过电流产生有效的自旋极化或自旋电流，在自旋电子学领域发挥着关键作用。虽然SHE通常发生在非磁性材料中且符合时间反演对称性，但探索与磁化力耦合的、符合时间反演反对称性（T奇异）的SHE，提供了一种新的电-自旋转换机制，具有新的功能性。本文报道了在Fe3GeTe2/MoTe2 van der Waals异构结构中观察到的巨大的T奇异SHE，代表了一种尚未发现的界面磁自旋格林效应（interfacial-MSHE）。通过严格的对称性分析和理论计算，我们将界面MSHE归因于van der Waals界面上由对称性破缺引起的自旋电流偶极子。 Furthermore, 我们表明，这一线性效应可用于实现乘法-累加运算和级联多端口设备的二进制卷积神经网络。我们的发现揭示了一种具有能源效率前景的界面T奇异电-自旋转换机制，适用于存储器计算。
引用
@article{arxiv.2403.18189,
title = {Interfacial magnetic spin Hall effect in van der Waals Fe3GeTe2/MoTe2 heterostructure},
author = {Yudi Dai and Junlin Xiong and Yanfeng Ge and Bin Cheng and Lizheng Wang and Pengfei Wang and Zenglin Liu and Shengnan Yan and Cuiwei Zhang and Xianghan Xu and Youguo Shi and Sang-Wook Cheong and Cong Xiao and Shengyuan A. Yang and Shi-Jun Liang and Feng Miao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.18189},
year = {2024}
}