利用超极化在半导体异质结处实现界面敏感的核磁共振

我们展示了在半导体纳米结构中的界面敏感 NMR，其中利用光泵浦产生的核超极化，检测到了模型异质结结构（In$_{0.48}$Ga$_{0.52}$P/GaAs）中微小异质结区域的 NMR 信号。检测的关键在于利用由晶格失配在异质结处产生的微小晶格畸变，这使得我们能够在异质结处产生并定域超极化，并将其与其余部分区分开。特别是，由应变空间变化导致的核自旋扩散的抑制，以及由此在异质结处出乎意料稳定的超极化，是成功检测的关键。