类硼离子中非线性塞曼效应的电子间相互作用贡献

A. S. Varentsova; V. A. Agababaev; D. A. Glazov; A. M. Volchkova; A. V. Volotka; V. M. Shabaev; G. Plunien

doi:10.1103/PhysRevA.97.043402

类硼离子中非线性塞曼效应的电子间相互作用贡献

原子物理 2018-04-05 v2

作者: A. S. Varentsova , V. A. Agababaev , D. A. Glazov , A. M. Volchkova , A. V. Volotka , V. M. Shabaev , G. Plunien

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摘要

本文给出了类硼离子中塞曼分裂在磁场中的二阶和三阶贡献的相对论计算，核电荷数范围广泛为 $Z=6$ -- $92$ 。电子间相互作用修正的一阶项（按 $1/Z$ 展开）被计算到 $\alpha Z$ 的所有阶。更高阶的 $1/Z$ 修正通过有效屏蔽势作了近似考虑。所得结果对于解释类硼离子中塞曼分裂的实验数据十分重要，特别是对于目前正在 GSI 实施的 ARTEMIS 实验。

关键词

类硼离子塞曼效应电子间相互作用相对论计算屏蔽势 ARTEMIS 实验

引用

@article{arxiv.1801.02614,
  title  = {Interelectronic-interaction contribution to the nonlinear Zeeman effect in boronlike ions},
  author = {A. S. Varentsova and V. A. Agababaev and D. A. Glazov and A. M. Volchkova and A. V. Volotka and V. M. Shabaev and G. Plunien},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02614},
  year   = {2018}
}

备注

29 pages, 3 figures, 7 tables

类硼离子中非线性塞曼效应的电子间相互作用贡献

摘要

关键词

引用

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