平行双单电子晶体管间垂电荷传输中的库仑排斥效应
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们采用含两个杂质能级的安德森模型研究平行双单电子晶体管（SET）的电荷传输行为。系统地使用非平衡克尔德尔斯绿�函数技术计算了该系统的电流-电压特性。对于由嵌入薄层 中的量子点（QD）实现的SET，由于量子点与 之间势垒高度较大，间垂库仑排斥作用在电子隧穿作用之上更为重要。我们发现，间垂库仑排斥不仅导致新的共振能级的出现，还会产生负微观导电现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505229,
title = {Interdot Coulomb repulsion effect on the charge transport of parallel double single electron transistors},
author = {David M. -T. Kuo and P. W. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505229},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 7 figures