超短 X 射线脉冲与 B4C、SiC 及 Si 的相互作用
等离子体物理
2009-11-13 v1
摘要
利用非局部热动平衡（NLTE）辐射输运代码，模拟了 32.5 nm 和 6 nm 超短 X 射线脉冲与固体材料 B4C、SiC 和 Si 的相互作用。我们研究了材料深度方向的电离动力学、辐照过程中不透明度的变化，并估算了烧蚀坑深度。此外，我们将估算的烧蚀坑深度与通量高达 2.2 J/cm² 的实验数据进行了比较。结果表明，在 32.5 nm 辐照下，对于通量高达 200 J/cm² 的情况，B4C 和 Si 的不透明度变化小于 2 倍，而 SiC 的变化为 3 倍。在 6 nm 激光波长下，模型预测由于逆韧致辐射较弱，不透明度会急剧下降，从而在高通量下增加烧蚀坑深度。
引用
@article{arxiv.0709.4473,
title = {Interaction of ultrashort X-ray pulses with B4C, SiC and Si},
author = {M. Bergh and N. Timneanu and S. P. Hau-Riege and H. A. Scott},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.4473},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 color figures