基于GaAs/AlGaAs异质结构介观器件的无相互作用测量方法
量子物理
2017-12-12 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
在本文中，我们提出了一种在低温下于高迁移率GaAs/AlGaAs异质结构上实现的介观器件进行无相互作用测量（IFM）的方法，该异质结构中埋有二维电子气（2DEG）系统。IFM是量子力学非定域性的惊人证据，因为IFM为我们提供了在不与其相互作用的情况下探测物体存在的能力。Kwiat等人实现IFM的方案利用量子芝诺效应，使我们未能识别物体存在的概率任意小。构建Kwiat等人的IFM干涉仪，我们利用电子量子光学和用于2DEG的隧穿显微镜技术。我们研究了流经干涉仪的电流的散粒噪声。我们进行IFM的方法旨在实现介观系统量子信息处理的一个里程碑。
引用
@article{arxiv.1702.01371,
title = {Interaction-free measurement with mesoscopic devices on a GaAs/AlGaAs heterostructure},
author = {Hiroo Azuma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01371},
year = {2017}
}
备注
v1: 16 pages, 9 eps figures, latex2e; v2: 20 pages, 9 eps figures, a new section about a shot noise of an electric current is added; v3: 17 pages, 6 eps figures, Section 3 is shortened; v4: minor corrections