通过辅助系统过程抑制退相干

推导了防止热浴中单双态量子系统（qubit）退相干的一般条件。为此目的所需的辅助系统对于一般条件仅假设为弱耦合，而研究了各种例子如额外 qubit 和额外经典场以用于量子信息处理。该一般条件通过众所周知的抑制退相干方法得到确认。提出了一种用于无退相干量子存储器和量子操作的新方法，即将 qubit 置于球心而额外 qubit 位于球面上。