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具有1.5%非线性-损耗比的InGaP量子纳米光子集成电路

光学 2022-02-23 v4 量子物理

摘要

光学非线性在使用光子的量子信息处理中扮演关键角色,从预示单光子源、相干波长转换至长期追求的量子中继器。尽管存在与量子发射体的强偶极耦合,实现强体光学非线性仍极为可取。在此,我们在薄膜InGaP中实现量子纳米光子集成电路,其单光子非线性耦合速率(g/2π=11.2g/2\pi=11.2 MHz)与腔光子损耗速率之比达创纪录的 1.5%1.5\%。我们在InGaP光子电路中演示了效率为 71200±10300%71200\pm10300\%/W 的二次谐波生成,以及通过简并自发参量下转换以超过27.5 MHz/μ\muW的超高率产生光子对——较现有技术水平提升一个数量级——且符合-偶然比高达 1.4×1041.4\times 10^4。本工作表明InGaP可作为量子非线性光学与量子信息应用极具潜力的超越性平台。

关键词

引用

@article{arxiv.2105.12705,
  title  = {InGaP quantum nanophotonic integrated circuits with 1.5% nonlinearity-to-loss ratio},
  author = {Mengdi Zhao and Kejie Fang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2105.12705},
  year   = {2022}
}