核塞曼效应对脉冲半导体量子点中锁模的影响

半导体量子点中电子自旋的相干性通过核聚焦的锁模效应得到强烈增强：电子自旋与周期脉冲的同步通过二者之间的超精细相互作用缓慢转移到半导体材料的核自旋上。驱动电子自旋拉莫尔进动的外部磁场也使核自旋受到类塞曼耦合，尽管要弱得多。对于实验中使用的典型磁场，核塞曼效应的能量尺度与超精细相互作用相当，因此不可忽略。本工作中，我们定量分析了核塞曼效应对锁模的影响。在微扰框架下，我们计算了长时间脉冲后的Overhauser场分布。我们发现核塞曼效应可以交换共振与非共振频率。我们区分了单一核种类与多种核种类的模型。对于后者，共振位置取决于各个$g$因子，而非平均值。