结构形变对半导体纳米线中重入电导特征的影响

螺旋态可通过重入行为的观测来测量，重入行为是在具有强自旋轨道耦合（SOC）的半导体纳米线（NW）于外加垂直磁场下探测到的电导中的一个凹陷。我们考虑不同横向模式之间的耦合，研究了纳米线中形变对电子输运的影响。在此方法中，我们表明纳米线电导中的凹陷受到局域收缩的影响。此外，我们发现即使在没有 SOC 和磁场的情况下，具有局域半径膨胀的纳米线中也会出现电导的重入特征。进一步，我们发展了一种数值方法来计算输运性质，该方法能够包含形变以及多个散射通道之间的耦合。