来自独立半导体单光子器件的不可区分光子
量子物理
2009-03-12 v1
摘要
我们展示了由ZnSe/ZnMgSe量子阱纳米结构中束缚于孤立氟施主杂质的激子辐射衰变过程产生的光子之间的量子干涉。通过自相关实验证实了这些器件产生单光子的能力，并通过Hong-Ou-Mandel dip证实了来自两个独立器件的单光子的不可区分性。这些结果表明，在适当设计的半导体结构中的施主杂质可以展现出类似原子的均匀性和相干性，为未来大规模光量子计算机和量子通信网络的可扩展技术提供了可能。
引用
@article{arxiv.0903.1849,
title = {Indistinguishable photons from independent semiconductor single-photon devices},
author = {Kaoru Sanaka and Alexander Pawlis and Thaddeus Ladd and Klaus Lischka and Yoshihisa Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1849},
year = {2009}
}