ESR 揭示全金属 - 半导体分离 SWCNTs 中的间接交换相互作用
材料科学
2012-06-21 v1
摘要
在 0.39 至 200 K 的温度 T 范围内，高度金属 - 半导体 (M-SC) 分离的单壁碳纳米管 (SWCNTs) 的电子自旋共振 (ESR) 响应在这两种体系中表现出显著差异。信号源于缺陷自旋，但与自由电子的相互作用导致金属管 (M tubes) 的线宽更大。后者的线宽随 T 升高而减小，而半导体管 (SC tubes) 的线宽则随 T 升高而增加。自旋在约 10 K 以下经历铁磁相变。研究表明间接交换作用是自旋 - 自旋相互作用的成因，金属管的情况由 RKKY 相互作用支持。对于半导体管，建议通过 Orbach 过程的自旋 - 晶格弛豫决定了线宽。
引用
@article{arxiv.1206.4543,
title = {Indirect Exchange Interaction in Fully Metal-Semiconductor Separated SWCNTs Revealed by ESR},
author = {M. Havlicek and W. Jantsch and Z. Wilamowski and K. Yanagi and H. Kataura and M. H. Rummeli and H. Malissa and A. Tyryshkin and S. Lyon and A. Chernov and H. Kuzmany},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4543},
year = {2012}
}