弱阻挫二维范德瓦尔斯绝缘体CrPSe$_3$中的非公度反铁磁序

尽管强磁阻挫会抑制磁序，但在弱阻挫系统中，磁序得以维持，但以复杂的形式出现，如摆线或自旋密度波。在此，我们报告了一种弱磁阻挫的二维范德瓦尔斯材料CrPSe$_3$。多晶CrPSe$_3$在优化的700$^\circ$C温度下合成，以避免形成任何第二相（如Cr$_2$Se$_3$）。通过磁化率测量，反铁磁转变出现在$T_N\sim 126$ K，具有较大的居里-外斯温度$T_{\rm CW} \sim -371$，表明CrPSe$_3$中存在弱阻挫，阻挫因子$f (|T_{\rm CW}|/T_N) \sim 3$。显然，低温（低于120K）下的中子衍射测量揭示了具有传播矢量$k = (0, 0.04, 0)$的长程非公度自旋密度波反铁磁序的形成。拉曼光谱测量证实，在所研究的温度范围内直至20K，C2/m对称性的单斜晶体结构得以保持。我们在二维（2D）磁性材料中发现的这种自旋密度波反铁磁序，此前未在MPX$_3$家族中观察到，有望丰富二维极限下的磁学物理，从而为其在自旋电子学和量子器件中的实际应用开辟机会。