单层 FeSe/SrTiO$_3$ 中的非相干库珀配对与赝能隙行为

在许多非常规超导体中，赝能隙——即电子态密度在临界温度以上受到抑制的现象——一直是个长期未解之谜。在此，我们结合原位电输运和角分辨光电子能谱（ARPES）测量，在单层 FeSe/SrTiO$_3$（一种界面超导体）中揭示了一个前所未有的大赝能隙区：非相干库珀对最初在 $T_{\Delta}$ $\approx$ 60 K 以上形成，但零电阻态仅在 $T_{0}$ $<$ 30 K 以下实现。我们表明，该行为伴随着二维相涨落超导的显著输运特征，暗示存在一种混合涡旋态，其中非相干库珀对持续存在于最大洁净极限 $T_{c}$ $\approx$ 40 K 以上。我们的工作确立了降低维度在驱动二维高-$T_c$ 超导体中库珀配对与相位相干之间复杂相互作用中的关键作用，为理解和设计更高-$T_c$ 界面超导体提供了范式。