面向错误符号带电 Charm 介子的包容性 b 衰变

研究了错误符号带电 Charm 介子 $b \to \bar{D}_{(s)} X$，其中 $D_{(s)}=(D^0,D+,D_s)$，使用 1994 和 1995 年 DELPHI 检测器收集的数据。通过搜索 $D^0 \to K- \pi+$、$D+ \to K- \pi+ \pi+$ 和 $D_s^+ \to \phi \pi+ \to K+ K- \pi+$ 的衰变，专门重构 Z \to b bbar 事件中的 Charm 介子。通过使用两个判别变量提取错误贡献：从已识别粒子电荷估计的 $b$ 夸克在衰变时的电荷，以及 Charm 介子在 $b$ 夸克系統中的动量。测得 $b$ 夸克到错误符号 Charm 介子的包容性分支比例：Br(b \to \bar{D^0} X) + Br(b \to D- X) = (9.3 \pm 1.7(stat) \pm 1.3(syst) \pm 0.4(Br))%，Br(b \to D_s^- X) = (10.1 \pm 1.0(stat) \pm 0.6(syst) \pm 2.8(Br))%，其中第一个误差为统计误差，第二个和第三个误差为系统误差。