欠掺杂铜基超导体中的初现环路电流序

越来越多的实验证据表明，在欠掺杂铜氧化物（铜基）超导体的赝能隙态中存在时间反演（$\mathcal{T}$）、宇称（$\mathcal{P}$）和 C$_{4}$ 晶格转动等离散对称性破缺。该离散对称性破缺表现为向有序态的真实相变。对这些序的详细热力学理解可解答与赝能隙温度 T$^*$ 处转变性质相关的各种谜题。本工作中，我们考虑以超导（SC）和键密度波（BDW）为两个初级序，研究 $\mathcal{T-P}$ 对称性破缺的热力学特征。BDW 可产生调制的电荷密度和电流密度。该框架考虑了普遍存在的电荷密度波与 SC 之间在欠掺杂 regime 各类铜基材料中显著的复杂竞争。我们证明，在 BDW 与 SC 竞争序的平均场处理中，只要 BDW 自身破缺 $\mathcal{T}-\mathcal{P}$，就可稳定一个共存 BDW 与 SC 的 $\mathcal{T-P}$ 破缺基态。但该基态在较高温度下不再出现。然而，我们表明，SC 和 BDW 的涨落可通过在初级序建立之前于较高温度自发破缺 $\mathcal{T-P}$ 的先发相变，驱动出现一种保持平移对称性的新的反常序。我们称此序为磁电环路电流（MELC）序。我们给出了这一新的初现 MELC 序可能的相变性质，并讨论了若干实验关联。