硫化铋超导体中的面内电荷涨落
超导电性
2015-05-20 v1
摘要
本文提出了超导 LaOF BiS 畸变晶格中 Bi 离子电荷 disproportionation 相关的局域电荷涨落的证据。硫原子的面内短程畸变幅度高达 0.3 \AA，破坏了位点对称性，并在 Bi 周围形成了两种不同的环境。随着 的增加，顶角硫的面外运动使其更接近 La-O/F 掺杂层，这可能导致掺杂层与超导 BiS 层之间形成电荷转移通道。超导机制可能源于电荷密度涨落与理论预测的增强自旋轨道耦合之间的相互作用，后者诱导了自旋极化。
引用
@article{arxiv.1503.02333,
title = {In-plane Charge Fluctuations in Bismuth Sulfide Superconductors},
author = {Anushika Athauda and Junjie Yang and Seunghun Lee and Yoshikazu Mizuguchi and Keita Deguchi and Yoshihiko Takano and Osuke Miura and Despina Louca},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02333},
year = {2015}
}