新经典撕裂模增长的杂质辐射播种

新经典撕裂模 (NTM) 的物理特性对托卡马克等离子体的稳定性与性能至关重要，尤其是在燃烧等离子体区域。尽管人们对不同的播种机制已有大量了解，且在许多情况下可以明确识别播种事件，但由杂质辐射冷却驱动的电阻撕裂不稳定性所导致的NTM潜在播种过程仍需更多研究。最近的NIMROD模拟表明，局部杂质辐射冷却可以驱动种子岛增长，并触发随后新经典撕裂模不稳定性的出现。种子岛主要由有理面上杂质辐射冷却导致的扰动压力梯度所诱发的抗磁电流局部螺旋扰动驱动。本文采用了一种新经典粘性的启发式闭合，在扩展的欧姆定律中，种子岛进一步由新经典电子粘性应力诱发的扰动自举电流驱动。模拟发现NTM的增长率与电子新经典粘性成正比，且模拟中采用了一个理论新经典驱动项来解释非线性新经典岛的增长。