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杂质效应作为填充方钴矿化合物超导体PrOs$_{4}$Sb$_{12}$中能隙函数的探针:Sb-NQR研究

超导电性 2007-05-23 v1

摘要

我们对填充方钴矿化合物Pr(Os1x_{1-x}Rux_x)4_4Sb12_{12}x=0.1,0.2x=0.1, 0.2)进行了核四极共振(NQR)测量,以深入了解超导能隙函数的对称性。当用Ru替代Os时,自旋-晶格弛豫率1/T11/T_1在远低于TcT_c的低TT下变得与温度(TT)成正比,且(1/T1T)lowT(1/T_1T)_{low-T}的大小随Ru含量的增加而增大。这些结果表明,杂质在费米能级诱导了有限的态密度,从而暗示PrOs4_{4}Sb12_{12}的能隙函数中存在节点。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0608698,
  title  = {Impurity Effect as a Probe for the Gap Function in the Filled Skutterudite Compound Superconductor PrOs$_{4}$Sb$_{12}$: Sb-NQR Study},
  author = {Masahide Nishiyama and Takayuki Kato and Hitoshi Sugawara and Daisuke Kikuchi and Hideyuki Sato and Hisatomo Harima and Guo-qing Zheng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608698},
  year   = {2007}
}

备注

10 pages, with 6 figures