通过后烘烤表面处理提高中温烘烤 niobium 腔体性能
加速器物理
2026-02-16 v1
摘要
Medium temperature (mid-T) 对 niobium 超导射频腔体在 300-350°C 的真空炉中烘烤已知可提高品质因子 (Q)。然而，尽管存在此改进，经此工艺处理的腔体常在相对较低的加速场出现提前淬灭。此限制可能源于在 350°C 进行 3 小时的烘烤过程中形成的表面污染物，如钛化物。为探讨潜在表面污染的影响，本研究对 1.3GHz 和 650MHz 单胞腔体进行了 ultralight 化学去除，以消除中温烘烤后可能引入的表面残留物。去除顶部射频表面层后，淬灭场和 Q 均显著提高，表明消除烘烤过程中可能的表面残留物具有积极作用。
引用
@article{arxiv.2602.13064,
title = {Improving the performance of mid-T baked niobium cavities through post-bake surface treatment},
author = {V. Chouhan and D. Bice and A. Cravatta and B. Guilfoyle and A. Murthy and A. Netepenko and T. Reid and T. Ring and D. Smith and G. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.13064},
year = {2026}
}
备注
22nd International Conference on RF Superconductivity (SRF2025)