单程与反射式半导体光放大器的改进集总模型
光学
2014-09-09 v1
摘要
我们提出了高精度且易于实现的改进型集总半导体光放大器 (SOA) 模型，适用于单程和反射式半导体光放大器 (RSOA)。该模型的关键特征是包含了内部损耗，我们表明只需少量细分即可达到 0.12 dB 的精度。对于 RSOA 情形，我们将最近发表的一个模型进行了推广，以计入对复现观测到的 RSOA 行为至关重要的内部损耗。改进后的简化 RSOA 模型结果显示，在 40 dB 的输入功率动态范围和 20 dB 的反射率动态范围内，与全双向行波模型相比具有高度重合性。这些模型将有助于通信系统中信号的快速系统仿真，例如采用 RSOA 的无源光网络、利用 SOA 进行信号处理，以及实施数字反向传播以消除放大器引起的信号失真。
引用
@article{arxiv.1407.5579,
title = {Improved Reduced Models for Single-Pass and Reflective Semiconductor Optical Amplifiers},
author = {Seán P. Ó Dúill and Liam P. Barry},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.5579},
year = {2014}
}
备注
4 Pages