阻抗谱及其应用
材料科学
2014-06-24 v1
摘要
本文仔细分析了通过阻抗谱 (IS) 表示介电性能的方法。研究发现，IS 并非描述均匀系统的良好工具，因为在低频极限处存在对应于直流 (DC) 电导率的伪弛豫峰，且对于损耗角正切 tand>1 的高损耗系统，一个弛豫过程会同时出现两个弛豫峰。然而，IS 非常适合描述多相系统。当介电性能由 Cole-Cole 方程表示时，IS 中每一相仅出现一个 Cole-Cole 弧，因此很容易区分不同的相。特别是，由于每一相在低频极限处都存在伪弛豫，可以通过 IS 毫无不确定性地推断特定弛豫过程的位置。此外，当使用比阻抗谱 (ISI) 表示介电性能时，可以方便地获得微观结构信息。基于上述理论结果，研究了具有巨介电常数 (GDC) 的 CaCu3Ti4O12 (CCTO) 陶瓷的介电性能。通过介电谱仪获得了 CCTO 的微观结构，并发现 GDC 的起源来自于晶粒的伪弛豫。
引用
@article{arxiv.1406.5645,
title = {Impedance spectroscopy and its application},
author = {Pengfei Cheng and Hui Wang and Shengtao Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5645},
year = {2014}
}