斯格明子自旋纹理对磁电阻的影响

我们通过扫描隧道显微镜研究局域自旋纹理对微分电导的影响。研究焦点是先前发现的非共线磁电阻，其源于具有倾斜磁矩的相邻格点间电子跳跃时的自旋混合效应。本工作以横向分辨率研究了零磁场自旋螺旋态以及不同磁场值下的单个磁性斯格明子。我们详细分析了微分电导的响应，发现峰能量和峰强度对非共线自旋纹理的局域性质具有不同的依赖关系。我们发现，在斯格明子中心，峰能量和强度与最近邻磁矩间的夹角大致呈线性标度。在斯格明子的其他区域，非共线性不是各向同性的且磁化量子化轴发生变化，峰能量的行为更为复杂。