应变单层材料的理想强度与声子不稳定性
材料科学
2014-06-03 v1
摘要
利用密度泛函理论计算了具有半金属、半导体和绝缘体基态的单层材料的理想强度。在此我们表明，与石墨烯类似，BN、石墨烷和 MoS 在 K 点出现软模，而硅烯则没有。除石墨烯外，所有情况下的相变均为一阶相变。在 BN 和石墨烷中，软模对应于类似于石墨烯的 Kekul{\'e} 型畸变，而 MoS 具有独特的畸变。BN、石墨烷和 MoS 的相变与带隙打开无关，这表明费米面嵌套并非驱动力。我们进行了能量分解，论证了为何 K 点的软模是独特的，以及应变如何驱动声子不稳定性。
引用
@article{arxiv.1311.1497,
title = {Ideal strength and phonon instability of strained monolayer materials},
author = {Eric B. Isaacs and Chris A. Marianetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1497},
year = {2014}
}