位于平面磁屏蔽之间的超导带中的磁滞交流损耗
超导电性
2015-05-14 v1
摘要
利用Bean临界态模型，计算了位于两个无限磁导率平面磁屏蔽之间的薄载流超导带中的磁滞交流损耗。对于平行于带平面的屏蔽，自感磁场的穿透增强，交流损耗的电流依赖性类似于孤立超导板；而对于垂直于带平面的屏蔽，自感磁场的穿透减弱，交流损耗的电流依赖性类似于两侧有平行超导屏蔽的超导带。因此，当屏蔽接近带时，磁滞交流损耗可以显著增加或分别减弱。
引用
@article{arxiv.0912.3432,
title = {Hysteretic ac losses in a superconductor strip between flat magnetic shields},
author = {Yu. A. Genenko and H. Rauh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.3432},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures, submitted to PRB