如何抑制传导电子的背散射？
介观与纳米尺度物理
2015-09-02 v3
摘要
理论研究表明，电子与高频电磁场的强耦合会导致在 Born 近似下电子背散射归零。该效应的条件仅依赖于场参数，而不依赖于散射势的具体形式。因此，这一现象具有普遍的物理性质，可存在于各种导电系统中。由于电子背散射的抑制会导致电阻降低，所求解的量子力学问题开辟了一条通过激光生成场控制导体电子输运性质的新途径。特别是，所建立的理论适用于暴露于强单色电磁波下的纳米结构。
引用
@article{arxiv.1401.5296,
title = {How to suppress the backscattering of conduction electrons?},
author = {O. V. Kibis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.5296},
year = {2015}
}
备注
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