如何在外延薄膜中实现类块体马氏体相变
材料科学
2016-12-20 v1
摘要
本研究致力于探讨不同衬底和缓冲层材料对溅射沉积外延形状记忆Heusler合金中马氏体相变的影响。为此，将磁热Heusler合金Ni-Co-Mn-Al生长在MgO(001)、MgAl₂O₄(001)和MgO(001)/V衬底上，这些衬底与Ni-Co-Mn-Al的晶格失配介于-1.2%至3.6%之间。通过温度依赖的X射线衍射测量表明，形状记忆Heusler薄膜的最佳缓冲层并非具有最小晶格失配的缓冲层，而是具有最小杨氏模量和适度失配的缓冲层，因为弹性缓冲层可在Heusler层马氏体相变过程中发生变形。此外，由适度晶格失配引起的外延应变不会显著改变马氏体相变温度。
引用
@article{arxiv.1612.06077,
title = {How to enable bulk-like martensitic transformation in epitaxial films},
author = {Marius Wodniok and Niclas Teichert and Lars Helmich and Andreas Hütten},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.06077},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 4 figures, MMM2016 conference paper, CV-03