通过拓扑化学 Na 缺位对自旋能隙 Na2Cu2TeO6 的空穴掺杂效应
强关联电子
2016-08-31 v1 统计力学
摘要
我们报道了自旋能隙层状化合物 Na2Cu2TeO6（自旋能隙 250 K）的磁化率和 NMR 研究，通过软化学处理的拓扑化学 Na 缺位对 Cu2TeO6 平面的空穴掺杂效应，以及通过非磁性杂质 Zn 替代 Cu 的静态自旋空位效应。对于纯 Na2Cu2TeO6，在 Te 位点观察到有限的 Knight 位移。负的超精细耦合常数 是 Cu-O-Te-O-Cu 键超交换路径存在的证据。结果表明，Na 缺位和 Zn 杂质都在 1 T 的外加磁场中诱导了均匀自旋磁化率中的居里型磁性，但只有 Zn 杂质增强了低温 Na 核自旋-晶格弛豫率，而 Na 缺位则抑制了它。对于 Na 缺位样品观察到自旋玻璃行为，但对于 Zn 取代样品则没有。掺杂空穴的未配对磁矩的动力学不同于自旋能隙 Cu2TeO6 平面中的自旋空位。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607141,
title = {Hole Doping Effects on Spin-gapped Na2Cu2TeO6 via Topochemical Na Deficiency},
author = {K. Morimoto and Y. Itoh and K. Yoshimura and M. Kato and K. Hirota},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607141},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 7 figures, to be published in J. Phys. Soc. Jpn. Vol. 75, No. 8 (2006)