Si/SiGe自旋量子比特中谷峰分裂的理论：应变、共振与随机合金无序的相互作用
机器学习
2024-12-31 v1 其他定量生物学
摘要
电子自旋量子比特在硅锗（SiGe）异质结构中是可实现可扩展量子计算机的主要候选方案之一。 strained Si/SiGe量子井（QWs）中的一个关键挑战是存在两个几乎是伪谐的谷态，位于导带最低点处，这可能导致量子信息泄漏。为解决此问题，人们探索了 various策略来增强谷峰分裂（即两个低能导带最小值的能隙），例如锐利的界面、在 QWs 中振荡的德氏浓度（称为波动井）和剪切应变工程。本文发展了一套综合的包络函数理论，辅以经验非局部势能模型，以纳入合金无序、应变和来自相邻 Brillouin 区之间谷态相互作用产生的非平凡共振的效应。我们将该模型应用于分析文献中常见的 epitaxial 概轮，重点关注波动井类型结构，并与之前的工作进行比较。我们的框架为量化这些效应对谷峰分裂的相互作用提供了一种高效工具，使以后能够实现复杂的 epitaxial 概轮优化成为可能。
引用
@article{arxiv.2412.20616,
title = {Hilbert Curve Based Molecular Sequence Analysis},
author = {Sarwan Ali and Tamkanat E Ali and Imdad Ullah Khan and Murray Patterson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.20616},
year = {2024}
}