非共线磁体中缺陷引起的高度色散散射

我们证明，非共线磁体中的点状缺陷会在磁振子散射中产生高度色散的结构，违反了其动量独立性的标准范式。对于与原型非共线反铁磁体耦合的单杂质自旋，我们发现解析函数主要由一个明显的色散结构主导，其动量依赖性由磁振子色散设定并由序矢量平移。这一特征是由于杂质诱导的自旋纹理上的Umklapp散射，而该自旋纹理源于宿主系统的非共线基态。我们给出了该纹理的交错磁化和均匀磁化以及来自数值线性自旋波理论的T矩阵的详细结果。