基于纠错码的高速磁阻式随机存取存储器随机数发生器
密码学与安全
2016-06-13 v1
摘要
提出了一种基于磁阻式随机存取存储器 (MRAM) 并使用纠错码 (ECC) 后处理电路的高速随机数发生器 (RNG) 电路。ECC 后处理通过增加随机数的熵来提高随机性质量。我们通过实验表明，一个具有较小纠错能力的电路足以进行此后处理。研究表明，ECC 后处理电路以最小开销强力改善了随机性质量，从而实现高速随机数生成。我们还表明，与线性反馈移位电阻器耦合可有效改善随机性。
引用
@article{arxiv.1606.03147,
title = {High-Speed Magnetoresistive Random-Access Memory Random Number Generator Using Error-Correcting Code},
author = {Tetsufumi Tanamoto and Naoharu Shimomura and Sumio Ikegawa and Mari Matsumoto and Shinobu Fujita and Hiroaki Yoda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03147},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 11 figures