SOI波导上高速双层石墨烯电吸收调制器
应用物理
2020-03-27 v1 光学
摘要
我们报道了一种基于无源SOI平台的C波段双层石墨烯电吸收调制器，其3dB带宽为29GHz，NRZ眼图消光比在10 Gb/s时为1.7 dB，在50 Gb/s时为1.3 dB。如此高的调制速度得益于CVD预图案化单晶生长及晶圆转移方法的质量，该方法实现了高质量可扩展石墨烯的集成以及低接触电阻。通过展示这种集成于硅光子学上的高速CVD石墨烯电吸收调制器及其可扩展方法，我们确信石墨烯能够满足成为光子学竞争技术的主要要求。
引用
@article{arxiv.2003.11896,
title = {High-speed double layer graphene electro-absorption modulator on SOI waveguide},
author = {Marco A. Giambra and Vito Sorianello and Vaidotas Miseikis and Simone Marconi and Alberto Montanaro and Paola Galli and Sergio Pezzini and Camilla Coletti and Marco Romagnoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.11896},
year = {2020}
}