狄拉克材料的高压合成：层状范德瓦耳斯键合的 BeN$_4$ 多晶型物
材料科学
2021-05-05 v3
摘要
高压化学已知能激发具有非凡性质的意外新类化合物的创制。本文报道在约 90 GPa 下合成新型铍多氮化物——单斜与三斜 BeN。三斜相在卸压至常压时，转变为一种由原子级厚 BeN 层通过弱范德瓦耳斯键连接的化合物，该层由具有共轭 {\pi} 体系的多乙炔类氮链以及平方平面配位的 Be 原子构成。对单层 BeN 的理论计算表明，其电子晶格由轻微扭曲的蜂窝结构描述，令人联想到石墨烯晶格，并且在费米能级处的电子能带结构中存在狄拉克点。BeN 层，即铍氮烯，代表了一类全新的二维材料，可由金属原子与聚合氮链构建，并承载各向异性狄拉克费米子。
引用
@article{arxiv.2010.15774,
title = {High-pressure synthesis of Dirac materials: layered van der Waals bonded BeN$_4$ polymorph},
author = {Maxim Bykov and Timofey Fedotenko and Stella Chariton and Dominique Laniel and Konstantin Glazyrin and Michael Hanfland and Jesse S. Smith and Vitali B. Prakapenka and Mohammad F. Mahmood and Alexander F. Goncharov and Alena V. Ponomareva and Ferenc Tasnádi and Alexei I. Abrikosov and Talha Bin Masood and Ingrid Hotz and Alexander N. Rudenko and Mikhail I. Katsnelson and Natalia Dubrovinskaia and Leonid Dubrovinsky and Igor A. Abrikosov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.15774},
year = {2021}
}