(Ga,Mn)As中的高精度磁线性二向色性测量
材料科学
2015-06-12 v1
摘要
利用一阶磁光克尔效应（MOKE）研究磁性材料已很成熟，并在文献中频繁使用。另一方面，利用二阶（或二次）磁光（MO）效应进行材料研究则相当罕见。这是由于二次磁光信号幅度小，且信号是磁化强度的偶函数（即当磁化方向翻转时信号不改变符号），这使得将二阶磁光信号与各种实验伪迹分离开来十分困难。2005年，在铁磁半导体(Ga,Mn)As中观测到了巨二次磁光效应——磁线性二向色性（MLD）。这一发现不仅为利用正入射光研究(Ga,Mn)As的面内磁化动力学提供了新的实验工具，也推动了测量二阶磁光效应的通用实验技术的发展。本文比较了四种可用于测量MLD并将其与实验伪迹分离的不同实验技术。我们表明，当将MLD对磁化强度与光偏振面相互取向的谐波依赖性与样品原位旋转及随后的磁场诱导磁化旋转相结合时，可获得最可靠的结果。利用该技术，我们在0.1 eV至2.7 eV的宽光谱范围内测量了(Ga,Mn)As的MLD光谱，并观测到MLD在该材料中具有与极向MOKE信号相当的幅度。
引用
@article{arxiv.1212.0956,
title = {High Precision Magnetic Linear Dichroism Measurements in (Ga,Mn)As},
author = {N. Tesarova and J. Subrt and P. Maly and P. Nemec and C. T. Ellis and A. Mukherjee and J. Cerne},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0956},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 7 figures