单畴Mn掺杂NBT-6%BT单晶的高压电系数
材料科学
2014-06-27 v2
摘要
我们报告了Mn掺杂NBT-6%BT单晶的性质研究。我们表明，沿[001]方向极化可以稳定四方单畴态。对于精心制备的晶体，压电系数d33可达570 pC/N。当沿非极化方向极化时，晶体表现出与四方微米级畴一致的铁电畴结构，如光学观察和拉曼光谱所揭示。多畴晶体的d33值较低，[011]和[111]取向晶体分别为225和130 pC/N。从畴工程角度评论了这一趋势。
关键词
引用
@article{arxiv.1212.0366,
title = {High piezoelectric coefficient of single domain Mn-doped NBT-6%BT single crystals},
author = {Mael Guennou and Maxim Savinov and Jan Drahokoupil and Haosu Luo and Jirka Hlinka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0366},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures, 1 table