中心频率 2.6 THz 的高场太赫兹源
光学
2023-12-20 v2
摘要
我们展示了一种基于磷化镓（GaP）中准直近红外脉冲的光整流产生峰值场强超过 300 kV/cm、频谱中心位于 2.6 THz 的台式高场太赫兹（THz）源。该实验构型基于倾斜脉冲前沿相位匹配，通过直接刻在 GaP 晶体前表面的相位光栅实现。尽管当近红外脉冲能量达到 0.57 mJ 时 THz 产生效率开始出现饱和迹象，我们可以预期当使用 5 mJ 的产生用近红外（NIR）脉冲时，该构型将产生高达 866 kV/cm 的 THz 峰值场强。本工作为能够访问由高于 2 THz 频率驱动的太赫兹相干控制与非线性现象新类别的宽带、高场 THz 源铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2301.09467,
title = {High-field THz source centered at 2.6 THz},
author = {Wei Cui and Eeswar Kumar Yalavarthi and Aswin Vishnu Radhan and Mohammad Bashirpour and Angela Gamouras and Jean-Michel Ménard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.09467},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 3 figures