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微运动下囚禁离子的高保真度量子门

量子物理 2014-08-29 v2

摘要

二维或三维 Paul 阱可以囚禁大量形成 Wigner 晶体的离子,这将为可扩展量子计算提供理想的架构,除了微运动这一问题,它被广泛认为是高保真度量子门的杀手。令人惊讶的是,我们在此表明,微运动根本不是设计高保真度量子门的障碍,即使微运动的幅度显著超出了 Lamb-Dicke 条件的要求。通过精确求解量子 Mathieu 方程,我们以四极 Paul 阱中的两个离子为例,展示了微运动下量子门设计的原理。所提出的微运动量子门可扩展至多离子情形,为可扩展的囚禁离子量子计算开辟了一条新途径。

关键词

引用

@article{arxiv.1403.7148,
  title  = {High Fidelity Quantum Gates for Trapped Ions under Micromotion},
  author = {Chao Shen and Luming Duan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1403.7148},
  year   = {2014}
}

备注

7 pages, 3 figures